主要技术指标:
•探头:SE、BSE、EDX探头。•分辨率:
二次电子像:3.0nm@30kV;7.0 nm@3kV;
背散射像:4.0nm@30kV;10.0 nm@5kV。
•具有低真空功能及可变压力操作模式,低真空模式下样品室低真空范围达到650Pa。
•配有电制冷EDX谱仪及离子溅射仪。