主要技术指标：
•探头：SE、BSE、EDX探头。•分辨率：
二次电子像：3.0nm@30kV；7.0 nm@3kV；
背散射像：4.0nm@30kV；10.0 nm@5kV。
•具有低真空功能及可变压力操作模式，低真空模式下样品室低真空范围达到650Pa。
•配有电制冷EDX谱仪及离子溅射仪。
